• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - IGBT - Single › NGTB05N60R2DT4G
NGTB05N60R2DT4G

NGTB05N60R2DT4G - ON Semiconductor

номер части
NGTB05N60R2DT4G
производитель
ON Semiconductor
Краткое описание
IGBT 5A 600V DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
NGTB05N60R2DT4G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Single
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
60129 pcs
Справочная цена
USD 0.4314/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку NGTB05N60R2DT4G

NGTB05N60R2DT4G Подробное описание

номер части NGTB05N60R2DT4G
Статус детали Active
Тип IGBT -
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 16A
Текущий - коллектор импульсный (Icm) 20A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Мощность - макс. 56W
Энергия переключения 188µJ (on), 60µJ (off)
Тип ввода Standard
Ворота затвора 30nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C 44ns/82ns
Условия тестирования 300V, 5A, 30 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr) 70ns
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика DPAK
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NGTB05N60R2DT4G

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
NGTB03N60R2DT4G NGTB03N60R2DT4G ON Semiconductor IGBT 9A 600V DPAK подробности
NGTB05N60R2DT4G NGTB05N60R2DT4G ON Semiconductor IGBT 5A 600V DPAK подробности