NGTB05N60R2DT4G

NGTB05N60R2DT4G - ON Semiconductor

Numero di parte
NGTB05N60R2DT4G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
IGBT 5A 600V DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.4314/pcs
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NGTB05N60R2DT4G Descrizione dettagliata

Numero di parte NGTB05N60R2DT4G
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 16A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Potenza - Max 56W
Cambiare energia 188µJ (on), 60µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 30nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 44ns/82ns
Condizione di test 300V, 5A, 30 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 70ns
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Peso -
Paese d'origine -

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