NCD5701CDR2G - ON Semiconductor

номер части	NCD5701CDR2G
Статус детали	Active
Управляемая конфигурация	High-Side or Low-Side
Тип канала	Synchronous
Количество драйверов	1
Тип ворот	IGBT
Напряжение - Поставка	20V
Напряжение логики - VIL, VIH	-
Текущий - пиковый выход (источник, раковина)	7.8A, 6.8A
Тип ввода	-
Высокое боковое напряжение - макс (бутстрап)	-
Время нарастания / падения (Тип)	18ns, 19ns
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NCD57000DWR2G	ON Semiconductor	GALVANIC ISOLATED HIGH CU	подробности
NCD57001DWR2G	ON Semiconductor	GALVANIC ISOLATED HIGH CU	подробности
NCD5700DR2G	ON Semiconductor	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	подробности
NCD5701ADR2G	ON Semiconductor	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	подробности
NCD5701BDR2G	ON Semiconductor	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	подробности
NCD5701CDR2G	ON Semiconductor	HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER	подробности
NCD5702DR2G	ON Semiconductor	METAL SPIN OF NCD5702. HI	подробности
NCD5703ADR2G	ON Semiconductor	METAL SPIN OF NCD5703A. H	подробности
NCD5703BDR2G	ON Semiconductor	METAL SPIN OF NCD5703B. H	подробности
NCD5703CDR2G	ON Semiconductor	METAL SPIN OF NCD5703C. H	подробности