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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Durée de conservation › NCD5701CDR2G
NCD5701CDR2G

NCD5701CDR2G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NCD5701CDR2G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NCD5701CDR2G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Durée de conservation
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.864/pcs
Notre prix
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NCD5701CDR2G Description détaillée

Numéro d'article NCD5701CDR2G
État de la pièce Active
Configuration pilotée High-Side or Low-Side
Type de canal Synchronous
Nombre de pilotes 1
Type de porte IGBT
Tension - Alimentation 20V
Tension logique - VIL, VIH -
Courant - sortie de crête (source, évier) 7.8A, 6.8A
Type d'entrée -
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 18ns, 19ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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