MSD2714AT1G - ON Semiconductor

номер части	MSD2714AT1G
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	25V
Частота - переход	650MHz
Шум (дБ Тип @ f)	-
Усиление	-
Мощность - макс.	225mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	90 @ 1mA, 6V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика	SC-59
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MSD200-08	Microsemi Corporation	DIODE BRIDGE 3PH 800V 200A SM3	подробности
MSD200-12	Microsemi Corporation	DIODE BRIDGE 3PH 1200V 200A SM3	подробности
MSD200-16	Microsemi Corporation	DIODE BRIDGE 1600V 200A SM3	подробности
MSD200-18	SMSC	MSD200-18 SMSC Standa.. New Original Stocks	подробности
MSD229EL-LF	MSTAR	MSD229EL-LF MSTAR LQFP25.. New Original Stocks	подробности
MSD2714AT1	ON	MSD2714AT1 ON SOT23 New Original Stocks	подробности
MSD2714AT1G	ON Semiconductor	TRANS NPN VHF/UHF BIPO 25V SC-59	подробности
MSD286QQ-LF-Z1-SJ	MSTAR	MSD286QQ-LF-Z1-SJ MSTAR PQFP29.. New Original Stocks	подробности
MSD289FG-LF-Z1	ORIGINAL	MSD289FG-LF-Z1 ORIGINAL BGA New Original Stocks	подробности