| номер части | MMSD103T1G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 250V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 200mA (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 200mA |
| скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Время обратного восстановления (trr) | 50ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 1µA @ 200V |
| Емкость @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOD-123 |
| Пакет устройств поставщика | SOD-123 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MMSD-06-22-L-07.87-S-K-M | SAMTECH | MMSD-06-22-L-07.87-S-K-M SAMTECH SOT23 New Original Stocks | подробности |
|
MMSD103T1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123 | подробности |
|
MMSD103T1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123 | подробности |
|
MMSD16128808S-V | EXSHINE | MEMORY MODULE SDRAM 128Mx16-SOP | подробности |
|
MMSD16128808S-V-CB | EXSHINE | MEMORY MODULE SDRAM 128Mx16-SOP | подробности |
|
MMSD16128808S-V-CN | EXSHINE | MEMORY MODULE SDRAM 128Mx16-SOP | подробности |
|
MMSD16128808S-V-CS | EXSHINE | MEMORY MODULE SDRAM 128Mx16-SOP | подробности |
|
MMSD16128808S-V-IB | EXSHINE | MEMORY MODULE SDRAM 128Mx16-SOP | подробности |
|
MMSD16128808S-V-IN | EXSHINE | MEMORY MODULE SDRAM 128Mx16-SOP | подробности |
|
MMSD16128808S-V-IS | EXSHINE | MEMORY MODULE SDRAM 128Mx16-SOP | подробности |
