2N6027RL1G - ON Semiconductor

номер части	2N6027RL1G
Статус детали	Obsolete
напряжение	40V
Рассеиваемая мощность (макс.)	300mW
Напряжение - выход	11V
Напряжение - смещение (Vt)	1.6V
Current - Gate to Anode Leakage (Igao)	10nA
Текущий - Долина (Iv)	50µA
Текущий - пик	2µA
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2N60	XM	2N60 XM TO-220 New Original Stocks	подробности
2N6027	Central Semiconductor Corp	PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3	подробности
2N6027G	ON Semiconductor	TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92	подробности
2N6027RL1	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	подробности
2N6027RL1G	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	подробности
2N6027RLRA	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	подробности
2N6027RLRAG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	подробности
2N6028	Central Semiconductor Corp	PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3	подробности
2N6028G	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	подробности
2N6028RLRA	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	подробности