2N6027RL1G - ON Semiconductor

Número de pieza	2N6027RL1G
Estado de la pieza	Obsolete
voltaje	40V
Disipación de potencia (Máx)	300mW
Voltaje - Salida	11V
Voltaje - Desplazamiento (Vt)	1.6V
Current - Gate to Anode Leakage (Igao)	10nA
Corriente - Valley (Iv)	50µA
Actual - Pico	2µA
Paquete / caja	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
2N60	XM	2N60 XM TO-220 New Original Stocks	Detalles
2N6027	Central Semiconductor Corp	PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3	Detalles
2N6027G	ON Semiconductor	TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92	Detalles
2N6027RL1	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	Detalles
2N6027RL1G	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	Detalles
2N6027RLRA	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	Detalles
2N6027RLRAG	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	Detalles
2N6028	Central Semiconductor Corp	PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3	Detalles
2N6028G	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	Detalles
2N6028RLRA	ON Semiconductor	THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92	Detalles