| номер части | MRF8P20165WHSR3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS (Dual) |
| частота | 1.98GHz ~ 2.01GHz |
| Усиление | 14.8dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 550mA |
| Выходная мощность | 37W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | NI-780S-4 |
| Пакет устройств поставщика | NI-780S-4 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF8P18265HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8 | подробности |
|
MRF8P18265HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8 | подробности |
|
MRF8P18265HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8 | подробности |
 |
MRF8P20100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 | подробности |
|
MRF8P20100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 | подробности |
|
MRF8P20100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 | подробности |
|
MRF8P20140WGHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S | подробности |
|
MRF8P20140WHR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4 | подробности |
|
MRF8P20140WHR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4 | подробности |
|
MRF8P20140WHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4 | подробности |
