MRF8P20165WHSR3 - NXP USA Inc.

Número de pieza: MRF8P20165WHSR3
Fabricante: NXP USA Inc.
Breve descripción: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - RF
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 243 pcs
Precio de referencia: USD 104.2919/pcs
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Número de pieza	MRF8P20165WHSR3
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	LDMOS (Dual)
Frecuencia	1.98GHz ~ 2.01GHz
Ganancia	14.8dB
Voltaje - Prueba	28V
Valoración actual	-
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	550mA
Salida de potencia	37W
Voltaje - Clasificación	65V
Paquete / caja	NI-780S-4
Paquete de dispositivo del proveedor	NI-780S-4
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MRF8P18265HR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8	Detalles
MRF8P18265HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8	Detalles
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MRF8P20100HR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4	Detalles
MRF8P20100HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4	Detalles
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MRF8P20140WHR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4	Detalles
MRF8P20140WHR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4	Detalles
MRF8P20140WHSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4	Detalles