| номер части | MMZ25332BT1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| частота | 1.8GHz ~ 2.8GHz |
| P1dB | 33dBm |
| Усиление | 26.5dB |
| Коэффициент шума | 5.8dB |
| Тип RF | LTE, TDS-CDMA, W-CDMA |
| Напряжение - Поставка | 3 V ~ 5 V |
| Текущий - поставка | 390mA |
| Частота испытаний | 2.5GHz |
| Упаковка / чехол | 12-VFQFN Exposed Pad |
| Пакет устройств поставщика | 12-QFN (3x3) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MMZ2012Y601BT000 | TDK | MMZ2012Y601BT000 TDK SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
 |
MMZ25332B4T1 | NXP USA Inc. | IC AMP HBT INGAP | подробности |
|
MMZ25332BT1 | NXP USA Inc. | IC AMP HBT INGAP 12QFN | подробности |
|
MMZ25333BT1 | NXP USA Inc. | IC DRIVER AMP 3STAGE 12QFN | подробности |
 |
MMZ27333BT1 | NXP USA Inc. | INGAP HBT LINEAR AMPLIFIER 1500 | подробности |
