| Numero di parte | MMZ25332BT1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Frequenza | 1.8GHz ~ 2.8GHz |
| P1dB | 33dBm |
| Guadagno | 26.5dB |
| Figura di rumore | 5.8dB |
| Tipo RF | LTE, TDS-CDMA, W-CDMA |
| Tensione - Fornitura | 3 V ~ 5 V |
| Corrente - Fornitura | 390mA |
| Frequenza di prova | 2.5GHz |
| Pacchetto / caso | 12-VFQFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 12-QFN (3x3) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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MMZ2012Y601BT000 | TDK | MMZ2012Y601BT000 TDK SMD or Through Hole New Original Stocks | Dettagli |
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MMZ25332B4T1 | NXP USA Inc. | IC AMP HBT INGAP | Dettagli |
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MMZ25332BT1 | NXP USA Inc. | IC AMP HBT INGAP 12QFN | Dettagli |
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MMZ25333BT1 | NXP USA Inc. | IC DRIVER AMP 3STAGE 12QFN | Dettagli |
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MMZ27333BT1 | NXP USA Inc. | INGAP HBT LINEAR AMPLIFIER 1500 | Dettagli |
