| номер части | MMRF1009HSR5 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 1.03GHz |
| Усиление | 19.7dB |
| Напряжение - испытание | 50V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 200mA |
| Выходная мощность | 500W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 110V |
| Упаковка / чехол | NI-780S |
| Пакет устройств поставщика | NI-780S |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MMRF1004GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 | подробности |
 |
MMRF1004NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 | подробности |
 |
MMRF1005HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 | подробности |
|
MMRF1005HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S | подробности |
 |
MMRF1006HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 | подробности |
|
MMRF1006HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S | подробности |
|
MMRF1007HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 | подробности |
|
MMRF1007HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | подробности |
|
MMRF1008GHR5 | NXP USA Inc. | PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER | подробности |
|
MMRF1008HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | подробности |
