MMRF1005HR5 - NXP USA Inc.

номер части	MMRF1005HR5
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	1.3GHz
Усиление	22.7dB
Напряжение - испытание	50V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	100mA
Выходная мощность	250W
Напряжение - Номинальное напряжение	120V
Упаковка / чехол	NI-780
Пакет устройств поставщика	NI-780
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MMRF1004GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2	подробности
MMRF1004NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2	подробности
MMRF1005HR5	NXP USA Inc.	FET RF 120V 1.3GHZ NI-780	подробности
MMRF1005HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S	подробности
MMRF1006HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230	подробности
MMRF1006HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S	подробности
MMRF1007HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230	подробности
MMRF1007HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S	подробности
MMRF1008GHR5	NXP USA Inc.	PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER	подробности
MMRF1008HR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	подробности