A2T18H450W19SR6 - NXP USA Inc.

номер части	A2T18H450W19SR6
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	1.805GHz ~ 1.88GHz
Усиление	16.5dB
Напряжение - испытание	-
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	-
Выходная мощность	89W
Напряжение - Номинальное напряжение	30V
Упаковка / чехол	NI-1230S-8 Variant, Flat Leads
Пакет устройств поставщика	NI-1230S-8
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
A2T18H100-25SR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.81GHZ	подробности
A2T18H160-24SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2T18H410-24SR6	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2T18H450W19SR6	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2T18H455W23NR6	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	подробности
A2T18S160W31GSR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2T18S160W31SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2T18S162W31GSR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2T18S162W31SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	подробности
A2T18S165-12SR3	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	подробности