| номер части | A2T18H100-25SR3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS (Dual) |
| частота | 1.81GHz |
| Усиление | 18.1dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 230mA |
| Выходная мощность | 18W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | NI-780-4S4 |
| Пакет устройств поставщика | NI-780-4S4 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
A2T18H100-25SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ | подробности |
|
A2T18H160-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | подробности |
|
A2T18H410-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | подробности |
|
A2T18H450W19SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | подробности |
|
A2T18H455W23NR6 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | подробности |
|
A2T18S160W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | подробности |
|
A2T18S160W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | подробности |
|
A2T18S162W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | подробности |
|
A2T18S162W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | подробности |
|
A2T18S165-12SR3 | NXP USA Inc. | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | подробности |
