TAN150 - Microsemi Corporation

номер части	TAN150
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	55V
Частота - переход	960MHz ~ 1.215GHz
Шум (дБ Тип @ f)	-
Усиление	7dB
Мощность - макс.	583W
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	10 @ 1A, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	15A
Рабочая Температура	200°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	55AT
Пакет устройств поставщика	55AT
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TA-010TCR221M-E2RKAD	FUJITSU	TA-010TCR221M-E2RKAD FUJITSU SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
TA-04	TOPMARK	TA-04 TOPMARK LCC8 New Original Stocks	подробности
TA-1.544MBD-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	подробности
TA-1.544MBE-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	подробности
TA-1.544MCD-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	подробности
TA-1.544MCE-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	подробности
TA-1.544MDD-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	подробности
TA-1.544MDE-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	подробности
TA-1.8432MBD-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.8432MHZ CMOS SMD	подробности
TA-1.8432MBE-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.8432MHZ CMOS SMD	подробности