TAN150 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	TAN150
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	55V
Fréquence - Transition	960MHz ~ 1.215GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	-
Gain	7dB
Puissance - Max	583W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	15A
Température de fonctionnement	200°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	55AT
Package de périphérique fournisseur	55AT
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TA-010TCR221M-E2RKAD	FUJITSU	TA-010TCR221M-E2RKAD FUJITSU SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
TA-04	TOPMARK	TA-04 TOPMARK LCC8 New Original Stocks	Détails
TA-1.544MBD-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	Détails
TA-1.544MBE-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	Détails
TA-1.544MCD-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	Détails
TA-1.544MCE-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	Détails
TA-1.544MDD-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	Détails
TA-1.544MDE-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.544MHZ CMOS SMD	Détails
TA-1.8432MBD-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.8432MHZ CMOS SMD	Détails
TA-1.8432MBE-T	TXC CORPORATION	OSC MEMS 1.8432MHZ CMOS SMD	Détails