| номер части | MPLAD30KP51AE3/TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип | Zener |
| Однонаправленные каналы | 1 |
| Двунаправленные каналы | - |
| Напряжение - обратная остановка (тип) | 51V |
| Напряжение - пробой (мин) | 56.7V |
| Напряжение - Зажим (макс.) @ Ipp | 82.4V |
| Ток - пиковый импульс (10/1000 мкс) | 366A |
| Мощность - пиковый импульс | 30000W (30kW) |
| Защита линии электропередачи | No |
| Приложения | General Purpose |
| Емкость @ Частота | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | Nonstandard SMD |
| Пакет устройств поставщика | PLAD |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MPLAD30KP100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD | подробности |
|
MPLAD30KP100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD | подробности |
|
MPLAD30KP100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD | подробности |
|
MPLAD30KP100CA/TR | Microsemi Corporation | TVS | подробности |
|
MPLAD30KP100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD | подробности |
|
MPLAD30KP110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | подробности |
|
MPLAD30KP110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | подробности |
|
MPLAD30KP110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | подробности |
|
MPLAD30KP110CA/TR | Microsemi Corporation | TVS | подробности |
|
MPLAD30KP110CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | подробности |
