| Numero di parte | MPLAD30KP51AE3/TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | 1 |
| Canali bidirezionali | - |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 51V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 56.7V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 82.4V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 366A |
| Potenza - Peak Pulse | 30000W (30kW) |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Nonstandard SMD |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLAD |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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MPLAD30KP100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD | Dettagli |
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MPLAD30KP100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD | Dettagli |
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MPLAD30KP100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD | Dettagli |
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MPLAD30KP100CA/TR | Microsemi Corporation | TVS | Dettagli |
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MPLAD30KP100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD | Dettagli |
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MPLAD30KP110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | Dettagli |
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MPLAD30KP110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | Dettagli |
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MPLAD30KP110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | Dettagli |
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MPLAD30KP110CA/TR | Microsemi Corporation | TVS | Dettagli |
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MPLAD30KP110CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | Dettagli |
