APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G - Microsemi Corporation

номер части
APTGFQ25H120T2G
производитель
Microsemi Corporation
Краткое описание
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
APTGFQ25H120T2G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
APTGFQ25H120T2G.pdf
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
362 pcs
Справочная цена
USD 59.44/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G Подробное описание

номер части APTGFQ25H120T2G
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT NPT and Fieldstop
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 40A
Мощность - макс. 227W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2.02nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол SP2
Пакет устройств поставщика SP2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ APTGFQ25H120T2G