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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGFQ25H120T2G
APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGFQ25H120T2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGFQ25H120T2G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
APTGFQ25H120T2G.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
362 pcs
Referenzpreis
USD 59.44/pcs
Unser Preis
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APTGFQ25H120T2G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGFQ25H120T2G
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ NPT and Fieldstop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Leistung max 227W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.02nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall SP2
Lieferantengerätepaket SP2
Gewicht -
Ursprungsland -

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