| номер части | APTDF30H1201G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 43A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 3.1V @ 30A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | SP1 |
| Пакет устройств поставщика | SP1 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
APTDF100H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | подробности |
|
APTDF100H1201G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | подробности |
|
APTDF100H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | подробности |
|
APTDF100H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | подробности |
|
APTDF100H20G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | подробности |
|
APTDF100H601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | подробности |
|
APTDF100H60G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | подробности |
|
APTDF200H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | подробности |
|
APTDF200H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | подробности |
|
APTDF200H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | подробности |
