APT80GA60LD40 - Microsemi Corporation

номер части	APT80GA60LD40
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	143A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	240A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 47A
Мощность - макс.	625W
Энергия переключения	840µJ (on), 751µJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	230nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	23ns/158ns
Условия тестирования	400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	22ns
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-264-3, TO-264AA
Пакет устройств поставщика	TO-264
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT8014JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227	подробности
APT8015JVR	APT	APT8015JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
APT8018JN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP	подробности
APT8020B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX	подробности
APT8020JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227	подробности
APT8020LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 38A TO-264	подробности
APT8024B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX	подробности
APT8024JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227	подробности
APT8024LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	подробности
APT8024LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	подробности