• 대한민국
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - IGBT - 단일 › APT80GA60LD40
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40 - Microsemi Corporation

부품 번호
APT80GA60LD40
제조사
Microsemi Corporation
간단한 설명
IGBT 600V 143A 625W TO264
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
APT80GA60LD40 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - IGBT - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
1873 pcs
참고 가격
USD 14.44/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 APT80GA60LD40

APT80GA60LD40 상세 설명

부품 번호 APT80GA60LD40
부품 상태 Active
IGBT 형 PT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 143A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm) 240A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 47A
전력 - 최대 625W
스위칭 에너지 840µJ (on), 751µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 차지 230nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C 23ns/158ns
시험 조건 400V, 47A, 4.7 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr) 22ns
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA
공급 업체 장치 패키지 TO-264
무게 -
원산지 -

관련 제품 APT80GA60LD40

영상 부품 번호 제조사 기술 전망
APT8014JLL APT8014JLL Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 세부
APT8015JVR APT8015JVR APT APT8015JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks 세부
APT8018JN APT8018JN Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP 세부
APT8020B2LLG APT8020B2LLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX 세부
APT8020JLL APT8020JLL Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 세부
APT8020LFLLG APT8020LFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 세부
APT8024B2LLG APT8024B2LLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX 세부
APT8024JLL APT8024JLL Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227 세부
APT8024LFLLG APT8024LFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 세부
APT8024LLLG APT8024LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 세부