APT60GA60JD60 - Microsemi Corporation

номер части	APT60GA60JD60
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	112A
Мощность - макс.	356W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 62A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	275µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	8.01nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика	ISOTOP®
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT6010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX	подробности
APT6010LFLL	APT	APT6010LFLL APT TO-264 New Original Stocks	подробности
APT6013JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227	подробности
APT6013LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 43A TO-264	подробности
APT6017B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX	подробности
APT6017LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 35A TO-264	подробности
APT6017LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 35A TO-264	подробности
APT6017WVR	APT	APT6017WVR APT TO3P New Original Stocks	подробности
APT6030BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD	подробности
APT6030BVFR	APT	APT6030BVFR APT TO-3P New Original Stocks	подробности