APT44F80B2 - Microsemi Corporation

номер части	APT44F80B2
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	47A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	305nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	9330pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1135W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 24A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	T-MAX™ [B2]
Упаковка / чехол	TO-247-3 Variant
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	подробности
APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	подробности
APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	подробности
APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	подробности
APT40DC120HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227	подробности
APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	подробности
APT40DQ100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247	подробности
APT40DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247	подробности
APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	подробности
APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	подробности