APT40GP90B2DQ2G - Microsemi Corporation

номер части	APT40GP90B2DQ2G
Статус детали	Not For New Designs
Тип IGBT	PT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	900V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	101A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	160A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 40A
Мощность - макс.	543W
Энергия переключения	795µJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	145nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	14ns/90ns
Условия тестирования	600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3 Variant
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	подробности
APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	подробности
APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	подробности
APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	подробности
APT40DC120HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227	подробности
APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	подробности
APT40DQ100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247	подробности
APT40DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247	подробности
APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	подробности
APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	подробности