| номер части | APT35SM70B |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 700V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 35A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 67nC @ 20V |
| Vgs (Макс.) | +25V, -10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1035pF @ 700V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 176W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | подробности |
|
APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | подробности |
 |
APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | подробности |
|
APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | подробности |
|
APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | подробности |
|
APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | подробности |
|
APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | подробности |
|
APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | подробности |
|
APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | подробности |
|
APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | подробности |
