| Numéro d'article | APT35SM70B |
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| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 700V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1035pF @ 700V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 176W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247-3 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Détails |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | Détails |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | Détails |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Détails |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | Détails |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | Détails |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Détails |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Détails |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | Détails |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | Détails |
