APT30GP60B2DLG - Microsemi Corporation

номер части	APT30GP60B2DLG
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	120A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 30A
Мощность - макс.	463W
Энергия переключения	260µJ (on), 250µJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	90nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	13ns/55ns
Условия тестирования	400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3
Пакет устройств поставщика	T-MAX™
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT30D100BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	подробности
APT30D100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247	подробности
APT30D100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247	подробности
APT30D100BHBG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	подробности
APT30D120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247	подробности
APT30D120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247	подробности
APT30D20BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	подробности
APT30D20BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	подробности
APT30D20BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 30A TO247	подробности
APT30D30BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247	подробности