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APT30GP60B2DLG - Microsemi Corporation

부품 번호: APT30GP60B2DLG
제조사: Microsemi Corporation
간단한 설명: IGBT 600V 100A 463W TMAX
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: APT30GP60B2DLG PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - IGBT - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 2589 pcs
참고 가격: USD 9.88/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

APT30GP60B2DLG 상세 설명

부품 번호	APT30GP60B2DLG
부품 상태	Active
IGBT 형	PT
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)	100A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm)	120A
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 30A
전력 - 최대	463W
스위칭 에너지	260µJ (on), 250µJ (off)
입력 유형	Standard
게이트 차지	90nC
Td (온 / 오프) @ 25 ° C	13ns/55ns
시험 조건	400V, 30A, 5 Ohm, 15V
역 회복 시간 (trr)	-
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
패키지 / 케이스	TO-247-3
공급 업체 장치 패키지	T-MAX™
무게	-
원산지	-

관련 제품 APT30GP60B2DLG

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	APT30D100BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	세부
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	APT30D120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247	세부
	APT30D20BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	세부
	APT30D20BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	세부
	APT30D20BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 30A TO247	세부
	APT30D30BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247	세부