• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - IGBT - Single › APT11GF120BRDQ1G
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G - Microsemi Corporation

номер части
APT11GF120BRDQ1G
производитель
Microsemi Corporation
Краткое описание
IGBT 1200V 25A 156W TO247
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
APT11GF120BRDQ1G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
APT11GF120BRDQ1G.pdf
категория
Транзисторы - IGBT - Single
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3733 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G Подробное описание

номер части APT11GF120BRDQ1G
Статус детали Obsolete
Тип IGBT NPT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 25A
Текущий - коллектор импульсный (Icm) 24A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 8A
Мощность - макс. 156W
Энергия переключения 300µJ (on), 285µJ (off)
Тип ввода Standard
Ворота затвора 65nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C 7ns/100ns
Условия тестирования 800V, 8A, 10 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr) -
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-247-3
Пакет устройств поставщика TO-247 [B]
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ APT11GF120BRDQ1G

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
APT11GF120BRDQ1G APT11GF120BRDQ1G Microsemi Corporation IGBT 1200V 25A 156W TO247 подробности
APT11GF120KRG APT11GF120KRG Microsemi Corporation IGBT 1200V 25A 156W TO220 подробности
APT11GP60BDQBG APT11GP60BDQBG Microsemi Corporation IGBT 600V 41A 187W TO247 подробности