APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT11GF120BRDQ1G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 1200V 25A 156W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
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APT11GF120BRDQ1G Descrizione dettagliata

Numero di parte APT11GF120BRDQ1G
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 25A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 8A
Potenza - Max 156W
Cambiare energia 300µJ (on), 285µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 65nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 7ns/100ns
Condizione di test 800V, 8A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B]
Peso -
Paese d'origine -

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