2N4860 - Microsemi Corporation

номер части	2N4860
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение - пробой (V (BR) GSS)	30V
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	100mA @ 15V
Текущий слив (Id) - Макс.	-
Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id	6V @ 500pA
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	18pF @ 10V
Сопротивление - RDS (Вкл.)	40 Ohm
Мощность - макс.	360mW
Рабочая Температура	-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Пакет устройств поставщика	TO-18
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2N0303	INFINEON	2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks	подробности
2N03L10	INFINEON	2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks	подробности
2N1008	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	подробности
2N1008A	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	подробности
2N1008B	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	подробности
2N1011	EXSHINE	germanium transistors	подробности
2N1016B	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	подробности
2N1016C	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	подробности
2N1016D	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	подробности
2N1057	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	подробности