| номер части | 1N8179US |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип | - |
| Однонаправленные каналы | - |
| Двунаправленные каналы | - |
| Напряжение - обратная остановка (тип) | - |
| Напряжение - пробой (мин) | - |
| Напряжение - Зажим (макс.) @ Ipp | - |
| Ток - пиковый импульс (10/1000 мкс) | - |
| Мощность - пиковый импульс | - |
| Защита линии электропередачи | - |
| Приложения | - |
| Емкость @ Частота | - |
| Рабочая Температура | - |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | подробности |
|
1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | подробности |
|
1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | подробности |
|
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | подробности |
 |
1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | подробности |
|
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | подробности |
|
1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | подробности |
|
1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | подробности |
|
1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | подробности |
 |
1N81 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | подробности |
