NAND04GW3C2BN6E - Micron Technology Inc.

номер части	NAND04GW3C2BN6E
Статус детали	Obsolete
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND
Размер памяти	4Gb (512M x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	25ns
Время доступа	25ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет устройств поставщика	48-TSOP
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NAND016R3B2CZA6	ST	NAND016R3B2CZA6 ST BGA New Original Stocks	подробности
NAND01G-B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	подробности
NAND01G-N	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	подробности
NAND01GR3B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	подробности
NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	подробности
NAND01GR3B2CZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	подробности
NAND01GR3N6	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	подробности
NAND01GR4N5	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	подробности
NAND01GW382CN6	STM	NAND01GW382CN6 STM TSOP New Original Stocks	подробности
NAND01GW3A0AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP	подробности