NAND04GW3C2BN6E - Micron Technology Inc.

Número de pieza: NAND04GW3C2BN6E
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC FLASH 4GBIT 48TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: NAND04GW3C2BN6E Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Memoria
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 3827 pcs
Precio de referencia: USD 0/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	NAND04GW3C2BN6E
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	FLASH
Tecnología	FLASH - NAND
Tamaño de la memoria	4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj	-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	25ns
Tiempo de acceso	25ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	48-TSOP
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
NAND016R3B2CZA6	ST	NAND016R3B2CZA6 ST BGA New Original Stocks	Detalles
NAND01G-B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	Detalles
NAND01G-N	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Detalles
NAND01GR3B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	Detalles
NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	Detalles
NAND01GR3B2CZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	Detalles
NAND01GR3N6	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Detalles
NAND01GR4N5	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Detalles
NAND01GW382CN6	STM	NAND01GW382CN6 STM TSOP New Original Stocks	Detalles
NAND01GW3A0AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP	Detalles