| номер части | MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Volatile |
| Формат памяти | DRAM |
| Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Размер памяти | 16Gb (256M x 64) |
| Частота часов | 2133MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | - |
| Напряжение - Поставка | 1.1V |
| Рабочая Температура | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | подробности |
|
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | подробности |
|
MT53D256M64D4KA-046 XT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | подробности |
|
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | подробности |
|
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | подробности |
|
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | подробности |
|
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | подробности |
|
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA | подробности |
|
MT53D256M64D4NY-046 XT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | подробности |
|
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 16G 2133MHZ | подробности |
