MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR - Micron Technology Inc.

номер части: MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR
производитель: Micron Technology Inc.
Краткое описание: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных: MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл: -
категория: Память
Срок поставки: 1 Day
Код даты: New
Количество на складе: 27092 pcs
Справочная цена: USD 0/pcs
Наша цена: Отправить по электронной почте: [email protected]

номер части	MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	DRAM
Технологии	SDRAM - Mobile LPDDR4
Размер памяти	16Gb (256M x 64)
Частота часов	2133MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	-
Напряжение - Поставка	1.1V
Рабочая Температура	-30°C ~ 105°C (TC)
Тип монтажа	-
Упаковка / чехол	-
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA	подробности
	MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA	подробности