| номер части | MT53B256M64D2NV MS TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Volatile |
| Формат памяти | DRAM |
| Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Размер памяти | 16Gb (256M x 64) |
| Частота часов | - |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | - |
| Напряжение - Поставка | 1.1V |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MT53B256M16D1Z00MWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 4G DIE 256MX16 | подробности |
|
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B256M32D1DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | LPDDR4 256MX64 WFB | подробности |
