| Artikelnummer | MT53B256M64D2NV MS TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 16Gb (256M x 64) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
MT53B256M16D1Z00MWC1 | Micron Technology Inc. | LPDDR4 4G DIE 256MX16 | Einzelheiten |
|
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Einzelheiten |
|
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Einzelheiten |
|
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Einzelheiten |
|
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Einzelheiten |
|
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Einzelheiten |
|
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Einzelheiten |
|
MT53B256M32D1DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Einzelheiten |
|
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Einzelheiten |
|
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | LPDDR4 256MX64 WFB | Einzelheiten |
