| номер части | MT29F4G08ABADAWP-E:D |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 4Gb (512M x 8) |
| Частота часов | - |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 2.7V ~ 3.6V |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MT29F4G01AAADDHC-IT:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | подробности |
|
MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | подробности |
|
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | подробности |
|
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | подробности |
|
MT29F4G01AAADDHC:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | подробности |
|
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | подробности |
|
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | подробности |
|
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | подробности |
|
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | подробности |
|
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI UPDFN | подробности |
