| 品番 | MT29F4G08ABADAWP-E:D |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND |
| メモリー容量 | 4Gb (512M x 8) |
| クロック周波数 | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 2.7V ~ 3.6V |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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MT29F4G01AAADDHC-IT:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | 詳細 |
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MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | 詳細 |
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MT29F4G01AAADDHC-ITX:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | 詳細 |
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MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | 詳細 |
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MT29F4G01AAADDHC:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | 詳細 |
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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | 詳細 |
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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | 詳細 |
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MT29F4G01ABAFD12-ITES:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | 詳細 |
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MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | 詳細 |
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI UPDFN | 詳細 |
