F2000D - OSRAM

номер части: F2000D
производитель: OSRAM
Краткое описание: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных: F2000D Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл: -
категория: Светодиодные компоненты
Срок поставки: 1 Day
Код даты: New
Количество на складе: 689500 pcs
Справочная цена: USD 0/pcs
Наша цена: Отправить по электронной почте: [email protected]

номер части	F2000D
Package Type	SMD or Through Hole
Rohs Status	Lead free / RoHS Compliant
Description	InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)
MFG Part Code	F2000D
Series	F200
Delivery Time	1 Day
Особенности	-
напряжение	-
Date Code	New
Тип монтажа	-
Рабочая Температура	-
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1
Текущий	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
F2-569783-04P	Amphenol Aerospace Operations	TV 4C 416 PIN J/N RECP PCB	подробности
F2-L16XT	HYPERSFONE	F2-L16XT HYPERSFONE TQFP10.. New Original Stocks	подробности
F20	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 2KV 350MA AXIAL	подробности
F20-100GCP	EON	F20-100GCP EON SOP New Original Stocks	подробности
F20.0520.440	ARC	F20.0520.440 ARC CON New Original Stocks	подробности
F2000D	OSRAM	InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)	подробности
F2000ERW	MPD	Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters	подробности
F2001	POLYFET	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR	подробности
F2001ERW	MPD	Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters	подробности
F2002	POLYFET	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR	подробности