F2000D - OSRAM

Numéro d'article: F2000D
Fabricant: OSRAM
Brève description: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: F2000D Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: -
Catégorie: Composants LED
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 689500 pcs
Prix de référence: USD 0/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

Numéro d'article	F2000D
Package Type	SMD or Through Hole
Rohs Status	Lead free / RoHS Compliant
Description	InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)
MFG Part Code	F2000D
Series	F200
Delivery Time	1 Day
Caractéristiques	-
Tension	-
Date Code	New
Type de montage	-
Température de fonctionnement	-
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1
Actuel	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
F2-569783-04P	Amphenol Aerospace Operations	TV 4C 416 PIN J/N RECP PCB	Détails
F2-L16XT	HYPERSFONE	F2-L16XT HYPERSFONE TQFP10.. New Original Stocks	Détails
F20	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 2KV 350MA AXIAL	Détails
F20-100GCP	EON	F20-100GCP EON SOP New Original Stocks	Détails
F20.0520.440	ARC	F20.0520.440 ARC CON New Original Stocks	Détails
F2000D	OSRAM	InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)	Détails
F2000ERW	MPD	Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters	Détails
F2001	POLYFET	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR	Détails
F2001ERW	MPD	Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters	Détails
F2002	POLYFET	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR	Détails