| номер части | JANTX1N4121-1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Напряжение - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
| Толерантность | ±5% |
| Мощность - макс. | 500mW |
| Импеданс (макс.) (Zzt) | 200 Ohm |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10nA @ 25.08V |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 200mA |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 175°C |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Пакет устройств поставщика | DO-35 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | подробности |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | подробности |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | подробности |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | подробности |
