| Numéro d'article | JANTX1N4121-1 |
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| État de la pièce | Active |
| Tension - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
| Tolérance | ±5% |
| Puissance - Max | 500mW |
| Impédance (Max) (Zzt) | 200 Ohm |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10nA @ 25.08V |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 200mA |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | DO-35 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Détails |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Détails |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Détails |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Détails |
