IXDD609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division

номер части	IXDD609SIATR
Статус детали	Active
Управляемая конфигурация	Low-Side
Тип канала	Single
Количество драйверов	1
Тип ворот	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка	4.5 V ~ 35 V
Напряжение логики - VIL, VIH	0.8V, 3V
Текущий - пиковый выход (источник, раковина)	9A, 9A
Тип ввода	Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (бутстрап)	-
Время нарастания / падения (Тип)	22ns, 15ns
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXDD404PI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP	подробности
IXDD404SI	IXYS	IC MOSFET DRIVR LS 4A DUAL 8SOIC	подробности
IXDD404SI-16	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC	подробности
IXDD404SIA	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC	подробности
IXDD404SIA-16	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC	подробности
IXDD408CI	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-220	подробности
IXDD408PI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 8A SGL 8-DIP	подробности
IXDD408SI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 8A SGL 8SOIC	подробности
IXDD408YI	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-263	подробности
IXDD409CI	IXYS	IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5	подробности