IXDD609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division

Numero di parte	IXDD609SIATR
Stato parte	Active
Configurazione guidata	Low-Side
Tipo di canale	Single
Numero di driver	1
Gate Type	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura	4.5 V ~ 35 V
Tensione logica - VIL, VIH	0.8V, 3V
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello)	9A, 9A
Tipo di input	Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap)	-
Rise / Fall Time (Typ)	22ns, 15ns
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXDD404PI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP	Dettagli
IXDD404SI	IXYS	IC MOSFET DRIVR LS 4A DUAL 8SOIC	Dettagli
IXDD404SI-16	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC	Dettagli
IXDD404SIA	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC	Dettagli
IXDD404SIA-16	IXYS	IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC	Dettagli
IXDD408CI	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-220	Dettagli
IXDD408PI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 8A SGL 8-DIP	Dettagli
IXDD408SI	IXYS	IC MOSFET DRIVER LS 8A SGL 8SOIC	Dettagli
IXDD408YI	IXYS	IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-263	Dettagli
IXDD409CI	IXYS	IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5	Dettagli